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NTMFD5C446NLT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTMFD5C446NLT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

T6 40V LL S08FL DS
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

NTMFD5C446NLT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 90µA
Supplier Device-Gehäuse

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.65 mOhm @ 20A, 10V
Leistung - max

3.5W (Ta), 125W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

NTMFD5C446NLT1G-ND
NTMFD5C446NLT1GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

50 Weeks
Bleifreier Status

Lead free
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3170pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 25A (Ta), 145A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

25A (Ta), 145A (Tc)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "NTMFD5C446NLT1G" -Einziper.

NTMFD4C87NT3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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