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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > NTMFS4C08NT1G-001

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NTMFS4C08NT1G-001-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFS4C08NT1G-001

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Spezifikation

Artikelnummer

NTMFS4C08NT1G-001
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTMFS4C08NT1G-001.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8 mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (max)

760mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1670pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.2nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 9A (Ta), 52A (Tc) 760mW (Ta) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9A (Ta), 52A (Tc)

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NTMFS4C06NBT3G

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NTMFS4C10NAT1G

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTMFS4C06NT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTMFS4C09NBT3G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V SO8FL

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NTMFS4C06NAT1G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTMFS4C09NT1G-001

NTMFS4C09NT1G-001

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTMFS4C09NBT1G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V SO8FL

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NTMFS4C06NBT1G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 20A 69A 5DFN

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NTMFS4C10NAT3G

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16.4A 46A 5DFN

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL

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