NTR3C21NZT3G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTR3C21NZT3G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 3.6A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTR3C21NZT3G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

470mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

19 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1540pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.8nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 3.6A (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.6A (Ta)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTR3C21NZT3G" -Einziper.

NTR3A30PZT1G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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