NTTFS4939NTWG

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Spezifikation

Artikelnummer

NTTFS4939NTWG
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTTFS4939NTWG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-WDFN (3.3x3.3)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

850mW (Ta), 29.8W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1979pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 8.9A (Ta), 52A (Tc) 850mW (Ta), 29.8W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8.9A (Ta), 52A (Tc)

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2025/03/31

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Das Folgende sind "NTTFS4939NTWG" -Einziper.

NTTFS4941NTWG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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