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2852145NTTFS4C25NTWG-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTTFS4C25NTWG

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    NTTFS4C25NTWG
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  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    690mW (Ta), 20.2W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerWDFN
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    40 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    500pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.3nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 5A (Ta), 27A (Tc) 690mW (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    5A (Ta), 27A (Tc)
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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 75A U8FL

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 52A U8FL

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 44A U8FL

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