NTTFS5811NLTWG

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Spezifikation

Artikelnummer

NTTFS5811NLTWG
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTTFS5811NLTWG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-WDFN (3.3x3.3)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

2.7W (Ta), 33W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 17A (Ta), 53A (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

17A (Ta), 53A (Tc)

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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