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2484272NTY100N10G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTY100N10G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    NTY100N10G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    NTY100N10G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-264
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 50A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    313W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-264-3, TO-264AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    10110pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    350nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 123A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-264
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    123A (Tc)

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Das Folgende sind "NTY100N10G" -Einziper.
APT10021JLL

APT10021JLL

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
IRF7524D1GTRPBF

IRF7524D1GTRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SI6465DQ-T1-E3

SI6465DQ-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRFR9014TRPBF

IRFR9014TRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MCH6341-TL-H

MCH6341-TL-H

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPB80N04S2H4ATMA1

IPB80N04S2H4ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NTR2101PT1G

NTR2101PT1G

Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SSM3K7002BS,LF

SSM3K7002BS,LF

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 200MA SMD

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SPP80N06S2L-07

SPP80N06S2L-07

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFS3004TRLPBF

IRFS3004TRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FCH099N65S3-F155

FCH099N65S3-F155

Beschreibung: SF3 650V 99MOHM E TO247L

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVMFS4C05NT1G

NVMFS4C05NT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRFZ48STRR

IRFZ48STRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
NTY100N10

NTY100N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 123A TO-264

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RF4E070GNTR

RF4E070GNTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPA65R600C6XKSA1

IPA65R600C6XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
AOI1N60

AOI1N60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
IXTP48P05T

IXTP48P05T

Beschreibung: MOSFET P-CH 50V 48A TO-220

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
CSD17578Q3A

CSD17578Q3A

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments
vorrätig
RFQ
BUK964R7-80E,118

BUK964R7-80E,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
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