NTZD3155CT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NTZD3155CT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NTZD3155CT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

SOT-563
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

550 mOhm @ 540mA, 4.5V
Leistung - max

250mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

NTZD3155CT1GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

46 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 16V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

540mA, 430mA
Basisteilenummer

NTZD3155C

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Versand
Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NTZD3155CT1G" -Einziper.

NTZS3151PT5G

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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