NVD5117PLT4G-VF01

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Spezifikation

Artikelnummer

NVD5117PLT4G-VF01
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVD5117PLT4G-VF01.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 29A, 10V
Verlustleistung (max)

4.1W (Ta), 118W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

NVD5117PLT4G
NVD5117PLT4G-VF01TR
NVD5117PLT4GOSTR
NVD5117PLT4GOSTR-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 60V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Ta), 61A (Tc)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NVD5117PLT4G-VF01" -Einziper.

NVD4856NT4G-VF01

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 89A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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