NVMFS5C612NLT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

NVMFS5C612NLT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVMFS5C612NLT1G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

3.8W (Ta), 167W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6660pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 36A (Ta), 235A (Tc) 3.8W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

36A (Ta), 235A (Tc)

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Zahlungsmittel

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "NVMFS5C612NLT1G" -Einziper.

NVMFS5C612NLWFAFT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 38A 250A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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