NVTFS4824NTWG

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Artikelnummer

NVTFS4824NTWG
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

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Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

NVTFS4824NTWG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-WDFN (3.3x3.3)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7 mOhm @ 23A, 10V
Verlustleistung (max)

3.2W (Ta), 21W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1740pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 18.2A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

18.2A (Ta)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL

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Beschreibung: IC LEVEL TRANSLATOR SD

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

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