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1623578RS1J-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

RS1J

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS1J
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RS1J.pdf
    2.RS1J.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMA (DO-214AC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    250ns
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    RS1JFSDKR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount SMA (DO-214AC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    RS1J

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Das Folgende sind "RS1J" -Einziper.
RS1GLHRUG

RS1GLHRUG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1J-E3/5AT

RS1J-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1J R3G

RS1J R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GLHRVG

RS1GLHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GLHRFG

RS1GLHRFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1J-M3/5AT

RS1J-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1J-M3/61T

RS1J-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1GLHRTG

RS1GLHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GLHRHG

RS1GLHRHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GQ-13-F

RS1GQ-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE SMD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1J M2G

RS1J M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GLHRQG

RS1GLHRQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JB-13

RS1JB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1J/1

RS1J/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1GLWHRVG

RS1GLWHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1J-E3/61T

RS1J-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS1J-13

RS1J-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS1GLW RVG

RS1GLW RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1GTR

RS1GTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
RS1J-13-F

RS1J-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
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