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SBC857BDW1T1G

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Spezifikation

Artikelnummer

SBC857BDW1T1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SBC857BDW1T1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

45V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA
Transistor-Typ

2 PNP (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

Automotive, AEC-Q101
Leistung - max

380mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

SBC857BDW1T1G-ND
SBC857BDW1T1GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

100MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 45V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

220 @ 2mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

BC857BD

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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SBC848BLT1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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