SI9424DY

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

SI9424DY
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SI9424DY.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 8A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SI9424DYTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2260pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8A (Ta)

Das Folgende sind "SI9424DY" -Einziper.

SI9407BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9712DY-T1-E3

Beschreibung: IC SWITCH PCMCIA 12V 16SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9433BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9407BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9706DY-E3

Beschreibung: IC PCMCIA INTFACE SW 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9435BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9706DY-T1-E3

Beschreibung: IC PCMCIA INTFACE SW 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9410BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9424BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9435DY

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SI9243AEY-E3

Beschreibung: IC SINGLE-ENDED BUS TXRX 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9243AEY-T1-E3

Beschreibung: IC SINGLE-ENDED BUS TXRX 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9410BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9243AEY-T1

Beschreibung: IC SINGLE-ENDED BUS TXRX 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9434BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9424BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9410DY,518

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

RFQ

SI9434BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9435BDY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

SI9433BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Vorabregistrierung

SI9424DY

Online-Anfrage

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

SI9407BDY-T1-E3

SI9712DY-T1-E3

SI9433BDY-T1-E3

SI9407BDY-T1-GE3

SI9706DY-E3

SI9435BDY-T1-GE3

SI9706DY-T1-E3

SI9410BDY-T1-GE3

SI9424BDY-T1-E3

SI9435DY

SI9243AEY-E3

SI9243AEY-T1-E3

SI9410BDY-T1-E3

SI9243AEY-T1

SI9434BDY-T1-GE3

SI9424BDY-T1-GE3

SI9410DY,518

SI9434BDY-T1-E3

SI9435BDY-T1-E3

SI9433BDY-T1-GE3

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache