SMBT3946DW1T1G

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Spezifikation

Artikelnummer

SMBT3946DW1T1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SMBT3946DW1T1G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

40V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN, PNP
Supplier Device-Gehäuse

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
Leistung - max

150mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

SMBT3946DW1T1G-ND
SMBT3946DW1T1GOSTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

300MHz, 250MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 200mA 300MHz, 250MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 10mA, 1V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

200mA
Basisteilenummer

MBT3946D

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "SMBT3946DW1T1G" -Einziper.

SMBT3906E6327HTSA1

Beschreibung: TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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