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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > SMMBD914LT3G
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3438808SMMBD914LT3G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SMMBD914LT3G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SMMBD914LT3G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 10mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    SMMBD914LT3G-ND
    SMMBD914LT3GOSTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    36 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 75V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    MMBD914
SMMB911DK-T1-GE3

SMMB911DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
SMMBFJ310LT1G

SMMBFJ310LT1G

Beschreibung: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBD7000LT1G

SMMBD7000LT1G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBF4391LT1G

SMMBF4391LT1G

Beschreibung: JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBD701LT1G

SMMBD701LT1G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200MW 70V SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBT2222ALT3G

SMMBT2222ALT3G

Beschreibung: TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBD770T1G

SMMBD770T1G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SC70-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBF4393LT1G

SMMBF4393LT1G

Beschreibung: JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBD330T1G

SMMBD330T1G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SC70

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBFJ309LT1G

SMMBFJ309LT1G

Beschreibung: JFET N-CH 25V 30MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBD7000LT3G

SMMBD7000LT3G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBFJ175LT1G

SMMBFJ175LT1G

Beschreibung: TRANS JFET P-CH 30V SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBFJ310LT3G

SMMBFJ310LT3G

Beschreibung: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBD914LT1G

SMMBD914LT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBD2835LT1G

SMMBD2835LT1G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 35V 100MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBD2837LT1G

SMMBD2837LT1G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 30V 150MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBT2222AWT1G

SMMBT2222AWT1G

Beschreibung: TRANS NPN 40V 0.6A SOT323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBT2222ALT1G

SMMBT2222ALT1G

Beschreibung: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBD301LT3G

SMMBD301LT3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
SMMBFJ177LT1G

SMMBFJ177LT1G

Beschreibung: TRANS JFET P-CH SOT23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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