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5553750SMMUN2111LT3G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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  • Artikelnummer
    SMMUN2111LT3G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SMMUN2111LT3G.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor-Typ
    PNP - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    10 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    246mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    36 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    35 @ 5mA, 10V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    MMUN21**L

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SMMUN2114LT1G

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SMMUN2214LT1G

SMMUN2214LT1G

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SMMUN2213LT3G

SMMUN2213LT3G

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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SMMUN2211LT3G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23

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SMMSZ4711T1G

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Beschreibung: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123

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SMMUN2211LT1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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SMMUN2134LT1G

SMMUN2134LT1G

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SMMUN2116LT3G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23

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SMMUN2111LT1G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

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