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619696SSURHD8560W1T4G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SSURHD8560W1T4G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SSURHD8560W1T4G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.7V @ 5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DPAK
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    SURHD8560W1T4G
    SURHD8560W1T4G-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 5A Surface Mount DPAK
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    5A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "SSURHD8560W1T4G" -Einziper.
GP10GHM3/73

GP10GHM3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
SJPM-H4

SJPM-H4

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A SJP

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
RS1MB-13

RS1MB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SSUH-003T-P0.15

SSUH-003T-P0.15

Beschreibung: CONTACT

Hersteller: JST
vorrätig
RFQ
SSU1N50BTU

SSU1N50BTU

Beschreibung: MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AK 04WK

AK 04WK

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
GP10W-M3/54

GP10W-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5KV 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
ES3F R7G

ES3F R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SSU1N60BTU-WS

SSU1N60BTU-WS

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SB330-E3/54

SB330-E3/54

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N457A_T50R

1N457A_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
VS-71HF80

VS-71HF80

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 70A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
CD214A-R12000

CD214A-R12000

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2KV 1A SMA

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
RFQ
GI810-E3/54

GI810-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
UPS3200/TR13

UPS3200/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 3A 200V POWERMITE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MBR2080CTE3/TU

MBR2080CTE3/TU

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20A 80V TO220AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
SFA805G C0G

SFA805G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SD103BWS-HE3-18

SD103BWS-HE3-18

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AR1PJ-M3/84A

AR1PJ-M3/84A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1PMHM3/85A

S1PMHM3/85A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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