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RM25C512C-LSNI-T

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RM25C512C-LSNI-T
  • Hersteller / Marke
    Adesto Technologies
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC CBRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RM25C512C-LSNI-T.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    100µs, 5ms
  • Spannungsversorgung
    1.65 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    CBRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOIC
  • Serie
    Mavriq™
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    1265-1218-6
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    512kb (128B Page Size)
  • Speicherschnittstelle
    SPI
  • Speicherformat
    CBRAM®
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    CBRAM Memory IC 512kb (128B Page Size) SPI 20MHz 8-SOIC
  • Uhrfrequenz
    20MHz

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RM25C512C-LTAI-B

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Beschreibung: IC CBRAM 512K SPI 20MHZ 8TSSOP

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RM25C512C-LSNI-B

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RM25C64C-LTAI-B

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RM25C512C-LMAI-T

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