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4593918ALD1115PAL-Bild.Advanced Linear Devices, Inc.

ALD1115PAL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ALD1115PAL
  • Hersteller / Marke
    Advanced Linear Devices, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ALD1115PAL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-PDIP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1800 Ohm @ 5V
  • Leistung - max
    500mW
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Andere Namen
    1014-1044
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3pF @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Typ FET
    N and P-Channel Complementary
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    10.6V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array N and P-Channel Complementary 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    -

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP

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Beschreibung: MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.
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ALD111910PAL

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 8DIP

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ALD1117PAL

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Beschreibung: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

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