ALD111933SAL

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Spezifikation

Artikelnummer

ALD111933SAL
Hersteller / Marke

Advanced Linear Devices, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ALD111933SAL.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.35V @ 1µA
Supplier Device-Gehäuse

8-SOIC
Serie

EPAD®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

500 Ohm @ 5.9V
Leistung - max

500mW
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

1014-1052
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-
Typ FET

2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

10.6V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Surface Mount 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

-

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Das Folgende sind "ALD111933SAL" -Einziper.

ALD114804ASCL

Beschreibung: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.

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