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AS4C128M16D3B-12BCNTR-Bild.

Alliance Memory, Inc.

AS4C128M16D3B-12BCNTR

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C128M16D3B-12BCNTR
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C128M16D3B-12BCNTR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

15ns
Spannungsversorgung

1.425 V ~ 1.575 V
Technologie

SDRAM - DDR3
Supplier Device-Gehäuse

96-FBGA (13x8)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

96-VFBGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

2Gb (128M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-FBGA (13x8)
Uhrfrequenz

800MHz
Zugriffszeit

20ns

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AS4C128M16D3B-12BCN

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C128M16D3L-12BANTR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96BGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C128M16D3L-12BIN

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AS4C128M16D3A-12BAN

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AS4C128M16D3LA-12BCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA

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