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  • Artikelnummer
    AS4C128M32MD2A-18BINTR
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    AS4C128M32MD2A-18BINTR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    134-FBGA (10x11.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    134-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz 134-FBGA (10x11.5)
  • Uhrfrequenz
    533MHz

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

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