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AS4C256M32MD2-18BIN

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C256M32MD2-18BIN
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    AS4C256M32MD2-18BIN.pdf
  • Spannungsversorgung
    1.2V, 1.8V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    134-FBGA (11.5x11.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    134-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    8Gb (256M x 32)
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 8Gb (256M x 32) 533MHz 134-FBGA (11.5x11.5)
  • Uhrfrequenz
    533MHz

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AS4C256M16D3LB-12BIN

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C256M8D3-12BAN

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C256M16D3LB-12BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C256M8D3-12BCN

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C256M8D3-12BCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C256M8D2-25BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3LB-12BCNTR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M16D3LA-12BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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AS4C256M16D3LB-12BAN

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C256M8D2-25BIN

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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AS4C256M16D3LA-12BIN

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 8G 533MHZ 134FBGA

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