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5122249

AS4C32M16MSA-6BIN-Bild.

Alliance Memory, Inc.

AS4C32M16MSA-6BIN

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C32M16MSA-6BIN
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C32M16MSA-6BIN.pdf
Spannungsversorgung

1.7 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

54-FBGA (8x8)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

54-VFBGA
Andere Namen

1450-1459
AS4C32M16MSA-6BIN-ND
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (32M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 166MHz 5.5ns 54-FBGA (8x8)
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5.5ns

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Das Folgende sind "AS4C32M16MSA-6BIN" -Einziper.

AS4C32M16SA-7TINTR

AS4C32M16SA-7TINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16SB-6TIN

AS4C32M16SB-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16SA-7BINTR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C32M16MD1A-5BCNTR

AS4C32M16MD1A-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16MD1-6BCN

AS4C32M16MD1-6BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16SA-7BCN

AS4C32M16SA-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16MSA-6BINTR

AS4C32M16MSA-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16MD1-5BINTR

AS4C32M16MD1-5BINTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16SA-7BIN

AS4C32M16SA-7BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16MD1-5BCN

AS4C32M16MD1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16MD1-6BCNTR

AS4C32M16MD1-6BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16MD1A-5BCN

AS4C32M16MD1A-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16MS-7BCNTR

AS4C32M16MS-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54BGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16SA-7BCNTR

AS4C32M16SA-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16SA-7TCNTR

AS4C32M16SA-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16MD1-5BIN

AS4C32M16MD1-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C32M16MS-7BCN

AS4C32M16MS-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54BGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C32M16SA-7TIN

AS4C32M16SA-7TIN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C32M16MD1-5BCNTR

AS4C32M16MD1-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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AS4C32M16SA-7TCN

AS4C32M16SA-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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