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AS4C4M16S-6TCN-Bild.

Alliance Memory, Inc.

AS4C4M16S-6TCN

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Spezifikation

Artikelnummer

AS4C4M16S-6TCN
Hersteller / Marke

Alliance Memory, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

AS4C4M16S-6TCN.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

2ns
Spannungsversorgung

3 V ~ 3.6 V
Technologie

SDRAM
Supplier Device-Gehäuse

54-TSOP II
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Andere Namen

1450-1155
AS4C4M16S-6TCN-ND
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

64Mb (4M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
Uhrfrequenz

166MHz
Zugriffszeit

5.4ns

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Das Folgende sind "AS4C4M16S-6TCN" -Einziper.

AS4C4M16SA-6BAN

AS4C4M16SA-6BAN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16S-6TINTR

AS4C4M16S-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16S-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16D1A-5TCN

AS4C4M16D1A-5TCN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16S-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16S-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16S-6BINTR

AS4C4M16S-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16D1A-5TANTR

AS4C4M16D1A-5TANTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16D1A-5TINTR

AS4C4M16D1A-5TINTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16S-6TAN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16SA-6BANTR

AS4C4M16SA-6BANTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16S-7TCNTR

AS4C4M16S-7TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16D1A-5TCNTR

AS4C4M16D1A-5TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16D1A-5TIN

AS4C4M16D1A-5TIN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16SA-6BIN

AS4C4M16SA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16S-6TCNTR

AS4C4M16S-6TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16SA-5TCNTR

AS4C4M16SA-5TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16S-6TANTR

AS4C4M16S-6TANTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16SA-5TCN

AS4C4M16SA-5TCN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

vorrätig

AS4C4M16D1A-5TAN

AS4C4M16D1A-5TAN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.

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