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AS4C4M32D1-5BIN

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS4C4M32D1-5BIN
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 128M PARALLEL 144BGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    12ns
  • Spannungsversorgung
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    144-BGA
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    -
  • Andere Namen
    1450-1324
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 200MHz 700ps 144-BGA
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Zugriffszeit
    700ps

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Das Folgende sind "AS4C4M32D1-5BIN" -Einziper.
AS4C4M32S-6BINTR

AS4C4M32S-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C4M32MSA-6BINTR

AS4C4M32MSA-6BINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C4M32S-6TCNTR

AS4C4M32S-6TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C4M32S-6BIN

AS4C4M32S-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C4M16SA-6TINTR

AS4C4M16SA-6TINTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C4M32D1-5BCN

AS4C4M32D1-5BCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 144BGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C4M16SA-7TCN

AS4C4M16SA-7TCN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C4M16SA-7B2CNTR

AS4C4M16SA-7B2CNTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C4M32D1A-5BIN

AS4C4M32D1A-5BIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C4M32D1A-5BCNTR

AS4C4M32D1A-5BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C4M32S-6TCN

AS4C4M32S-6TCN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
RFQ
AS4C4M32D1A-5BCN

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C4M32D1A-5BINTR

AS4C4M32D1A-5BINTR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 144LFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C4M16SA-7B2CN

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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 60FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C4M16SA-7BCN

AS4C4M16SA-7BCN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M32MSA-6BIN

AS4C4M32MSA-6BIN

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C4M16SA-6TIN

AS4C4M16SA-6TIN

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C4M16SA-6TCNTR

AS4C4M16SA-6TCNTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
vorrätig
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AS4C4M16SA-7BCNTR

AS4C4M16SA-7BCNTR

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

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