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AS4C64M16MD1A-5BIN

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  • Artikelnummer
    AS4C64M16MD1A-5BIN
  • Hersteller / Marke
    Alliance Memory, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    AS4C64M16MD1A-5BIN.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-FBGA (9x8)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    60-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (64M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-FBGA (9x8)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Zugriffszeit
    5ns

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Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

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Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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AS4C64M16D3LB-12BIN

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Hersteller: Alliance Memory, Inc.
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA

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