AON6405L_102

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Spezifikation

Artikelnummer

AON6405L_102
Hersteller / Marke

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 8DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-DFN-EP (5x6)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 83W (Tc)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 15A (Ta), 30A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

15A (Ta), 30A (Tc)

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AON6400

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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