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6648104AOV15S60-Bild.Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOV15S60

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    AOV15S60
  • Hersteller / Marke
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 0.52A 5-DFN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.AOV15S60.pdf
    2.AOV15S60.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.8V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    4-DFN-EP (8x8)
  • Serie
    aMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    8.3W (Ta), 208W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    4-PowerTSFN
  • Andere Namen
    785-1684-1
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    717pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15.6nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 520mA (Ta), 12A (Tc) 8.3W (Ta), 208W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    520mA (Ta), 12A (Tc)

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Das Folgende sind "AOV15S60" -Einziper.
AO4482L

AO4482L

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 8SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
IXFN44N50Q

IXFN44N50Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IPD50R380CEATMA1

IPD50R380CEATMA1

Beschreibung: MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDV302P

FDV302P

Beschreibung: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
APTML20UM18R010T1AG

APTML20UM18R010T1AG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 109A SP1

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
NP55N03SUG-E1-AY

NP55N03SUG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 55A TO-252

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
SIRA84DP-T1-GE3

SIRA84DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SI5855DC-T1-E3

SI5855DC-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AUIRF7739L2

AUIRF7739L2

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
HRF3205

HRF3205

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A TO-220AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2SJ0674G0L

2SJ0674G0L

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
NVD5413NT4G

NVD5413NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NTD4979NT4G

NTD4979NT4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.4A DPAK-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AOV20S60

AOV20S60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A 5DFB

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
MTD6N20ET5G

MTD6N20ET5G

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 6A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NVMFS6B25NLWFT3G

NVMFS6B25NLWFT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDS6614A

FDS6614A

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AOV11S60

AOV11S60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
IRF540STRRPBF

IRF540STRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRLML6302GTRPBF

IRLML6302GTRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3

Hersteller: Infineon Technologies
vorrätig
RFQ
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