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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-RF > BLF6G10LS-160RN,11
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3826617BLF6G10LS-160RN,11-Bild.Ampleon

BLF6G10LS-160RN,11

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BLF6G10LS-160RN,11
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Prüfung
    32V
  • Spannung - Nennwert
    65V
  • Transistor-Typ
    LDMOS
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT502B
  • Serie
    -
  • Leistung
    32W
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-502B
  • Andere Namen
    568-8637
    934063282112
    BLF6G10LS-160RN,11-ND
    BLF6G10LS160RN11
  • Rauschmaß
    -
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gewinnen
    22.5dB
  • Frequenz
    922.5MHz ~ 957.5MHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Mosfet LDMOS 32V 1.2A 922.5MHz ~ 957.5MHz 22.5dB 32W SOT502B
  • Aktuelle Bewertung
    39A
  • Strom - Test
    1.2A
  • Basisteilenummer
    BLF6G10
BLF6G10LS-200,118

BLF6G10LS-200,118

Beschreibung: FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BLF6G10LS-200RN,11

BLF6G10LS-200RN,11

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10L-40BRN,118

BLF6G10L-40BRN,118

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10LS-135R,118

BLF6G10LS-135R,118

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10LS-160,112

BLF6G10LS-160,112

Beschreibung: RF FET LDMOS SOT502B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10L-260PRN,11

BLF6G10L-260PRN,11

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10LS-160RN:11

BLF6G10LS-160RN:11

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10L-40BRN,112

BLF6G10L-40BRN,112

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10LS-135R,112

BLF6G10LS-135R,112

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10L-260PRN:11

BLF6G10L-260PRN:11

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10S-45,112

BLF6G10S-45,112

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 23DB SOT608B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10LS-160,118

BLF6G10LS-160,118

Beschreibung: RF FET LDMOS SOT502B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10LS-260PRN:1

BLF6G10LS-260PRN:1

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10LS-200R,112

BLF6G10LS-200R,112

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V SOT502B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10LS-200R,118

BLF6G10LS-200R,118

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V SOT502B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10LS-260PRN,1

BLF6G10LS-260PRN,1

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10LS-200RN:11

BLF6G10LS-200RN:11

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10LS-135RN:11

BLF6G10LS-135RN:11

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLF6G10LS-200,112

BLF6G10LS-200,112

Beschreibung: FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
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BLF6G10LS-135RN,11

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