Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5406-G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
59735411N5406-G-Bild.Comchip Technology

1N5406-G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1200+
$0.08
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5406-G
  • Hersteller / Marke
    Comchip Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N5406-G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-27 (DO-201AD)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-201AD, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 125°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-27 (DO-201AD)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    1N5406

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "1N5406-G" -Einziper.
1N5406-E3/73

1N5406-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5406G A0G

1N5406G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5406-E3/54

1N5406-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5406

1N5406

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5404RLG

1N5404RLG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5406GHB0G

1N5406GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5405

1N5405

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5406GP-E3/54

1N5406GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5406G-T

1N5406G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5406-E3/51

1N5406-E3/51

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5406-T

1N5406-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5405-E3/54

1N5405-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5406GP-TP

1N5406GP-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N5406GHA0G

1N5406GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5406GHR0G

1N5406GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5406G

1N5406G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5406-B

1N5406-B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5406-TP

1N5406-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N5406

1N5406

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5404TA

1N5404TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.