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34365951N5406T-G-Bild.Comchip Technology

1N5406T-G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5406T-G
  • Hersteller / Marke
    Comchip Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N5406T-G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-27 (DO-201AD)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-201AD, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 125°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-27 (DO-201AD)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    1N5406

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Das Folgende sind "1N5406T-G" -Einziper.
1N5407-G

1N5407-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
1N5406G

1N5406G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5406GHB0G

1N5406GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5406G A0G

1N5406G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5407-B

1N5407-B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5406RL

1N5406RL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5406TA

1N5406TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
1N5407

1N5407

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5407

1N5407

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5406GHR0G

1N5406GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5407-T

1N5407-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5406GHA0G

1N5406GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5406G-T

1N5406G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5407-TP

1N5407-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N5406GP-E3/54

1N5406GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5406RLG

1N5406RLG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5406GP-TP

1N5406GP-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
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