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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 6A01-G
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31195066A01-G-Bild.Comchip Technology

6A01-G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    6A01-G
  • Hersteller / Marke
    Comchip Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 6A R6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    6A01-G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 6A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    R-6
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    R6, Axial
  • Andere Namen
    641-1960-1
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 125°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    13 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 6A Through Hole R-6
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    6A
  • Kapazität @ Vr, F
    100pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "6A01-G" -Einziper.
6A05GHB0G

6A05GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A05

6A05

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A R6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
6A05-T

6A05-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
6A05-TP

6A05-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A R6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
6A04B-G

6A04B-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 6A R6

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
6A05G R0G

6A05G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A06B-G

6A06B-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A R6

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
6A05G B0G

6A05G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A06-G

6A06-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A R6

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
6A005-G

6A005-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A R6

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
6A04-G

6A04-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 6A P600

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
6A08-G

6A08-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
6A05GHR0G

6A05GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A01B-G

6A01B-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A R6

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
6A05GHA0G

6A05GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A05G A0G

6A05G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A05TA

6A05TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A R-6

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
6A02-G

6A02-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 6A R6

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
6A005B-G

6A005B-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 6A R6

Hersteller: Comchip Technology
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RFQ
6A02B-G

6A02B-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 6A R6

Hersteller: Comchip Technology
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