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3068508BAS16-G-Bild.Comchip Technology

BAS16-G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAS16-G
  • Hersteller / Marke
    Comchip Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BAS16-G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 150mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    75V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23-3
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    6ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 75V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 75V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    BAS16

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Das Folgende sind "BAS16-G" -Einziper.
BAS16-7

BAS16-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16D-E3-08

BAS16D-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS16-HE3-08

BAS16-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS16-G3-08

BAS16-G3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS1602WH6327XTSA1

BAS1602WH6327XTSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 200MA SCD80-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS16-HE3-18

BAS16-HE3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS16,215

BAS16,215

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16 RFG

BAS16 RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAS16-D87Z

BAS16-D87Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16-E3-08

BAS16-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
BAS16-7-F

BAS16-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16-E3-18

BAS16-E3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS16

BAS16

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16-TP

BAS16-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
BAS16-G3-18

BAS16-G3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS16,235

BAS16,235

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS1603WE6327HTSA1

BAS1603WE6327HTSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS16

BAS16

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 200MA SC59-3

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
BAS1602VH6327XTSA1

BAS1602VH6327XTSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 200MA SC79-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS1602LE6327XTMA1

BAS1602LE6327XTMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 200MA TSLP-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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