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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Brücke-Gleichrichter > BR3510-G
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BR3510-G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BR3510-G
  • Hersteller / Marke
    Comchip Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    BRIDGE DIODE 35A 1000V BR
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BR3510-G.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    1kV
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 12.5A
  • Technologie
    Standard
  • Supplier Device-Gehäuse
    BR
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    4-Square, BR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 125°C (TJ)
  • Befestigungsart
    QC Terminal
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Single Phase
  • detaillierte Beschreibung
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV QC Terminal BR
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    35A

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Das Folgende sind "BR3510-G" -Einziper.
BR34L02FVT-WE2

BR34L02FVT-WE2

Beschreibung: IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BR35005-G

BR35005-G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 35A 50V BR

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
BR34L02FV-WE2

BR34L02FV-WE2

Beschreibung: IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8SSOPB

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BR36

BR36

Beschreibung: DIODE BRIDGE 600V 3A BR-3

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
BR35005W-G

BR35005W-G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 35A 50V BR-W

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
BR3510W-G

BR3510W-G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 35A 1000V BR-W

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
BR38

BR38

Beschreibung: DIODE BRIDGE 800V 3A BR-3

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
BR35H128FJ-WCE2

BR35H128FJ-WCE2

Beschreibung: IC EEPROM 128K SPI 5MHZ 8SOPJ

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BR3C12UC

BR3C12UC

Beschreibung: CB MCB 489 3P C 12A ACDC

Hersteller: Weidmuller
vorrätig
RFQ
BR3504W-G

BR3504W-G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 35A 400V BR-W

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
BR3504-G

BR3504-G

Beschreibung: BRIDGE DIODE 35A 400V BR

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
BR35H640FJ-WCE2

BR35H640FJ-WCE2

Beschreibung: IC EEPROM 64K SPI 5MHZ 8SOPJ

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BR34E02NUX-WTR

BR34E02NUX-WTR

Beschreibung: IC EEPROM 2K I2C VSON008X2030

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BR34E02FVT-WE2

BR34E02FVT-WE2

Beschreibung: IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BR34E02FVT-3E2

BR34E02FVT-3E2

Beschreibung: IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8TSSOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BR3C10UC

BR3C10UC

Beschreibung: CB MCB 489 3P C 10A ACDC

Hersteller: Weidmuller
vorrätig
RFQ
BR3C13UC

BR3C13UC

Beschreibung: CB MCB 489 3P C 13A ACDC

Hersteller: Weidmuller
vorrätig
RFQ
BR35H128F-WCE2

BR35H128F-WCE2

Beschreibung: IC EEPROM 128K SPI 5MHZ 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BR3C15UC

BR3C15UC

Beschreibung: CB MCB 489 3P C 15A ACDC

Hersteller: Weidmuller
vorrätig
RFQ
BR34E02NUX-3TR

BR34E02NUX-3TR

Beschreibung: IC EEPROM 2K I2C VSON008X2030

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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