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2712102CDBJSC10650-G-Bild.Comchip Technology

CDBJSC10650-G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CDBJSC10650-G
  • Hersteller / Marke
    Comchip Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    CDBJSC10650-G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 10A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    650V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220F
  • Geschwindigkeit
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    0ns
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2 Full Pack
  • Andere Namen
    641-1938
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Silicon Carbide Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-220F
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 650V
  • Strom - Richt (Io)
    10A (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    710pF @ 0V, 1MHz

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