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1119630CY14B104N-BA45XC-Bild.Cypress Semiconductor

CY14B104N-BA45XC

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CY14B104N-BA45XC
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    CY14B104N-BA45XC.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    45ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-FBGA (6x10)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    48-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    NVSRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 45ns 48-FBGA (6x10)
  • Basisteilenummer
    CY14B104
  • Zugriffszeit
    45ns

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CY14B104N-BA20XC

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CY14B104N-BA20XCT

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CY14B104N-BA25XCT

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CY14B104N-ZS25XIT

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