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2573175CY14E256LA-SZ25XI-Bild.Cypress Semiconductor

CY14E256LA-SZ25XI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CY14E256LA-SZ25XI
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    CY14E256LA-SZ25XI.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    25ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Supplier Device-Gehäuse
    32-SOIC
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
  • Andere Namen
    428-3622-5
    CY14E256LA-SZ25XI-ND
    CY14E256LASZ25XI
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    256Kb (32K x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    NVSRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 25ns 32-SOIC
  • Basisteilenummer
    CY14*256
  • Zugriffszeit
    25ns

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Beschreibung: IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC

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CY14E256LA-SZ45XI

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Beschreibung: IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC

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CY14E256Q2A-SXIT

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY14E256L-SZ35XI

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CY14E116N-Z30XI

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Beschreibung: IC NVSRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY14E256L-SZ45XCT

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CY14E116N-Z30XIT

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