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6541541CY62147GE-45ZSXI-Bild.Cypress Semiconductor

CY62147GE-45ZSXI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CY62147GE-45ZSXI
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    CY62147GE-45ZSXI.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    45ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    44-TSOP II
  • Serie
    MoBL®
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 45ns 44-TSOP II
  • Zugriffszeit
    45ns

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY62147GN18-55BVXI

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY62147GE18-55ZSXIT

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY62147G30-55ZSXE

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY62147GE30-45BVXIT

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY62147GE18-55BVXI

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY62147G30-55BVXE

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY62147GE18-55ZSXI

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CY62147G30-45ZSXA

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Beschreibung: MICROPOWER SRAMS

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

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