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CY62167ESL-55FNXIT

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  • Artikelnummer
    CY62167ESL-55FNXIT
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 16M PARALLEL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    CY62167ESL-55FNXIT.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    55ns
  • Spannungsversorgung
    1.65 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-WLCSP (5.8x4.7)
  • Serie
    MoBL®
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    60-UFBGA, WLCSP
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    16Mb (2M x 8, 1M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    9 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mb (2M x 8, 1M x 16) Parallel 55ns 60-WLCSP (5.8x4.7)
  • Zugriffszeit
    55ns

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY62167EV30LL-45BVXAT

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Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY62167DV30LL-55BVXI

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Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY62167DV30LL-55BVIT

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Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY62167EV18LL-55BVXI

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Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY62167EV30LL-45BVI

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Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY62167DV30LL-55ZXIT

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Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY62167EV18LL-55BVXIT

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CY62167EV30LL-45BVXI

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CY62167DV30LL-70BVIT

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CY62167ELL-45ZXIT

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