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5909689CY62177EV18LL-70BAXI-Bild.Cypress Semiconductor

CY62177EV18LL-70BAXI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CY62177EV18LL-70BAXI
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    CY62177EV18LL-70BAXI.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    70ns
  • Spannungsversorgung
    1.65 V ~ 2.25 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-FBGA (8x9.5)
  • Serie
    MoBL®
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    48-TFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Parallel 70ns 48-FBGA (8x9.5)
  • Zugriffszeit
    70ns

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Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

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Beschreibung: IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

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Beschreibung: IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I

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Beschreibung: IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA

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Beschreibung: MICROPOWER SRAMS

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Beschreibung: IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY62177EV18LL-70BAXIT

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Beschreibung: IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA

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Beschreibung: MICROPOWER SRAMS

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Beschreibung: IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I

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Beschreibung: IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA

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Beschreibung: IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I

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Beschreibung: IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I

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