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3620629CY7C1021BN-12VXIT-Bild.Cypress Semiconductor

CY7C1021BN-12VXIT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CY7C1021BN-12VXIT
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    12ns
  • Spannungsversorgung
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    44-SOJ
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Mb (64K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 12ns 44-SOJ
  • Basisteilenummer
    CY7C1021
  • Zugriffszeit
    12ns
CY7C1021B-15ZXE

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
CY7C1021BN-12ZXCT

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C1021BN-12VXCT

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

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CY7C1021BN-15VXIT

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CY7C1021BL-15ZXIT

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C1021BN-15ZSXE

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C1021B-15ZXIT

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CY7C1021B-15ZXCT

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Beschreibung: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

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CY7C1021B-15ZXI

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CY7C1021BN-15VXE

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CY7C1021BN-15VXET

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CY7C1021BN-12ZXC

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CY7C1021B-15ZXET

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CY7C1021BN-15ZSXET

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CY7C1021BN-15VXCT

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CY7C1021BN-12VXI

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CY7C1021BN-15VXI

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CY7C1021BN-12VXC

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CY7C1021BL-15ZXI

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