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CY7C1041G30-10BVJXIT

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  • Artikelnummer
    CY7C1041G30-10BVJXIT
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.CY7C1041G30-10BVJXIT.pdf
    2.CY7C1041G30-10BVJXIT.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    10ns
  • Spannungsversorgung
    2.2 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-VFBGA (6x8)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    48-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    11 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 48-VFBGA (6x8)
  • Zugriffszeit
    10ns

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C1041G30-10ZSXE

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C1041G18-15BVXIT

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C1041G30-10ZSXIT

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

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CY7C1041G-10ZSXIT

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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