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1753554CY7C1041GN30-10ZSXI-Bild.Cypress Semiconductor

CY7C1041GN30-10ZSXI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CY7C1041GN30-10ZSXI
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    10ns
  • Spannungsversorgung
    2.2 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Asynchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    44-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Andere Namen
    428-3589
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Mb (256K x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 44-TSOP II
  • Zugriffszeit
    10ns
CY7C1041GN30-10BVJXI

CY7C1041GN30-10BVJXI

Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C1041GN30-10VXIT

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL

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CY7C1049B-20VC

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

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CY7C1041GN30-10BVXIT

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

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CY7C1049B-17VC

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

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CY7C1049B-15VXC

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

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CY7C1041GN-10ZSXIT

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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CY7C1041GN30-10VXI

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL

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CY7C1041GN-10VXIT

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL

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CY7C1046D-10VXIT

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 32SOJ

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CY7C1041GN-10ZSXI

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CY7C1046D-10VXI

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CY7C1046DV33-10VXI

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 32SOJ

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CY7C1046CV33-12VXC

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Beschreibung: IC SRAM 4M PARALLEL 32SOJ

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CY7C1046DV33-10VXIT

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CY7C1041GN30-10BVXI

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CY7C1041GN30-10BVJXIT

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CY7C1049B-15VC

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CY7C1041GN-10VXI

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