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1512661CY7C1311CV18-200BZC-Bild.Cypress Semiconductor

CY7C1311CV18-200BZC

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CY7C1311CV18-200BZC
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    CY7C1311CV18-200BZC.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous, QDR II
  • Supplier Device-Gehäuse
    165-FBGA (13x15)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    165-LBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    18Mb (2M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (2M x 8) Parallel 200MHz 165-FBGA (13x15)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Basisteilenummer
    CY7C1311

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CY7C1312BV18-200BZC

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CY7C1312BV18-200BZI

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

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CY7C131-25NXC

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Beschreibung: IC SRAM 8K PARALLEL 52PQFP

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CY7C131-25NXCT

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Beschreibung: IC SRAM 8K PARALLEL 52PQFP

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CY7C131-55NXI

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Beschreibung: IC SRAM 8K PARALLEL 52PQFP

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CY7C1311CV18-250BZC

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CY7C13121KV18-300BZXC

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CY7C1312BV18-200BZXC

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CY7C1312BV18-167BZCT

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CY7C131-55JXI

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CY7C1311KV18-250BZC

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CY7C1312BV18-167BZI

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CY7C131-55JXCT

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CY7C131-55JXIT

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CY7C131-55JXC

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