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CY7C1370KV25-200BZC

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  • Artikelnummer
    CY7C1370KV25-200BZC
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    CY7C1370KV25-200BZC.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.375 V ~ 2.625 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    165-FBGA (13x15)
  • Serie
    NoBL™
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    165-LBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3ns 165-FBGA (13x15)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Zugriffszeit
    3ns

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CY7C1370KV33-167AXI

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CY7C1370KV33-167AXIT

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