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1752687CY7C1414KV18-300BZXI-Bild.Cypress Semiconductor

CY7C1414KV18-300BZXI

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CY7C1414KV18-300BZXI
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous, QDR II
  • Supplier Device-Gehäuse
    165-FBGA (13x15)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    165-LBGA
  • Andere Namen
    CY7C1414KV18300BZXI
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    36Mb (1M x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb (1M x 36) Parallel 300MHz 165-FBGA (13x15)
  • Uhrfrequenz
    300MHz
  • Basisteilenummer
    CY7C1414
CY7C1414KV18-250BZXC

CY7C1414KV18-250BZXC

Beschreibung: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C1414KV18-300BZC

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C1414KV18-250BZXCT

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CY7C1414SV18-167BZC

CY7C1414SV18-167BZC

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CY7C1414KV18-300BZI

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CY7C1414KV18-300BZXC

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CY7C1414KV18-250BZCT

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CY7C1414LV18-250BZXC

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CY7C1414KV18-250BZXI

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CY7C1415AV18-167BZC

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CY7C1414SV18-250BZC

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CY7C1414KV18-333BZXI

CY7C1414KV18-333BZXI

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CY7C1414KV18-250BZI

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CY7C1414KV18-250BZXIT

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CY7C1414TV18-167BZC

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CY7C1414KV18-333BZC

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CY7C1414TV18-200BZXC

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CY7C1414TV18-250BZC

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