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2485207CY7C1426JV18-300BZXC-Bild.Cypress Semiconductor

CY7C1426JV18-300BZXC

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CY7C1426JV18-300BZXC
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    CY7C1426JV18-300BZXC.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous, QDR II
  • Supplier Device-Gehäuse
    165-FBGA (15x17)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    165-LBGA
  • Andere Namen
    CY7C1426JV18300BZXC
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    36Mb (4M x 9)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb (4M x 9) Parallel 300MHz 165-FBGA (15x17)
  • Uhrfrequenz
    300MHz
  • Basisteilenummer
    CY7C1426

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Beschreibung: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
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CY7C1426KV18-250BZC

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Beschreibung: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
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CY7C1426AV18-300BZXC

CY7C1426AV18-300BZXC

Beschreibung: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C1426KV18-333BZC

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Beschreibung: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C144-15AXC

CY7C144-15AXC

Beschreibung: IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP

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CY7C1426AV18-250BZC

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CY7C1426UV18-300BZC

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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CY7C1425UV18-267BZI

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