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4792765CYD02S36V18-167BBC-Bild.Cypress Semiconductor

CYD02S36V18-167BBC

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    CYD02S36V18-167BBC
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    256-FBGA (17x17)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    256-LBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Mb (64K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 167MHz 4ns 256-FBGA (17x17)
  • Uhrfrequenz
    167MHz
  • Basisteilenummer
    CYD02S36
  • Zugriffszeit
    4ns

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CYD04S72V-167BBC

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Hersteller: Cypress Semiconductor
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CYD09S36V18-167BBXC

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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CYD09S72V-133BBI

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 484FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

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CYD02S36V18-200BBXC

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Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 256FBGA

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CYD04S72V-133BBC

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CYD09S18V18-167BBXC

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CYD02S36VA-167BBXC

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CYD02S36V-167BBXC

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CYD02S36VA-167BBC

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CYD09S72V-133BBC

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CYD09S72V-167BBC

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 484FBGA

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CYD09S18V18-167BBXI

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Beschreibung: IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

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CYD09S36V18-WW14

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